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IGBT的測(cè)量方法
  IGBT管的好壞可用指針萬(wàn)用表的Rxlk擋來(lái)檢測(cè)，或用數(shù)字萬(wàn)用表的“二極管”擋來(lái)測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。
  檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短路放電，避免影響檢測(cè)的準(zhǔn)確度；
  然后用指針萬(wàn)用表的兩只表筆正反測(cè)G、e兩極及G、c兩極的電阻，對(duì)于正常的IGBT管（正常G、e兩極與G、c兩極間的正反向電阻均為無(wú)窮大；內(nèi)含阻尼二極管的IGBT管正常時(shí)，e、C極間均有4kΩ正向電阻），上述所測(cè)值均為無(wú)窮大；
  最后用指針萬(wàn)用表的紅筆接c極，黑筆接e極，若所測(cè)值在3．5kΩ左右，則所測(cè)管為含阻尼二極管的IGBT管，若所測(cè)值在50kΩ左右，則所測(cè)IGBT管內(nèi)不含阻尼二極管。對(duì)于數(shù)字萬(wàn)用表，正常情況下，IGBT管的e、C極問(wèn)正向壓降約為0．5V。
  測(cè)得IGBT管三個(gè)引腳間電阻均很小，則說(shuō)明該管已擊穿損壞；
  若測(cè)得IGBT管三個(gè)引腳間電阻均為無(wú)窮大，說(shuō)明該管已開路損壞。維修中IGBT管多為擊穿損壞。


  判斷晶閘管極性及好壞的方法選擇指針萬(wàn)用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測(cè)量晶閘管的任兩個(gè)極之間的正反向電阻，其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無(wú)窮大，則判定該極為陽(yáng)極（A）。
  然后選擇指針萬(wàn)用表的R×1Ω檔。黑表筆接晶閘管的陽(yáng)極（A），紅表筆接晶閘管的其中一極假設(shè)為陰極（K），另一極為控制極（G）。
  黑表筆不要離開陽(yáng)極（A）同時(shí)觸擊控制極（G），若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住，則判定晶閘管的假設(shè)極性陰極（K）和控制極（G）是正確的，且該晶閘管元件為好的晶閘管。若萬(wàn)用表指針不偏轉(zhuǎn)，顛倒晶閘管的假設(shè)極性再測(cè)量。若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住，則晶閘管的第二次假設(shè)極性為正確的，該晶閘管為好的晶閘管。否則為壞的晶閘管。
  判斷IGBT極性及好壞的方法判斷IGBT極性：選擇指針萬(wàn)用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測(cè)量IGBT的任兩個(gè)極之間的正反向電阻，其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無(wú)窮大，則判定該極為IGBT的柵極（G）。
  測(cè)量另外兩極的正反向電阻，在正向電阻時(shí)，紅表筆接的為IGBT的集電極（C），黑表筆接的為IGBT的發(fā)射極（E）。
  判斷IGBT好壞：選擇指針萬(wàn)用表的R×10KΩ檔。黑表筆接集電極（C），紅表筆接發(fā)射極（E），用手同時(shí)觸擊一下集電極（C）和控制極（G）。
  若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住，再用手同時(shí)觸擊一下發(fā)射極（E）和控制極（G），萬(wàn)用表指針回零，則該IGBT為好的，否則為壞的IGBT。 




如何檢測(cè)IGBT好壞簡(jiǎn)便方法介紹


　　1、判斷極性
　　首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極（G）。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量，若測(cè)得阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發(fā)射極（E）。
　　2、判斷好壞
　　將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發(fā)射極（E），此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時(shí)IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和發(fā)射極（E），這時(shí)IGBT被阻斷，萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT是好的。
　　3、任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT
    注意判斷IGBT好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通，而無(wú)法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）的好壞。
　　逆變器IGBT模塊檢測(cè)：
　　將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉�極管測(cè)試檔，測(cè)試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極管特性，來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。
　　以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線拆除，使用二極管測(cè)試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為最大；將表筆反過(guò)來(lái)，黑表筆接P,紅表筆測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N（發(fā)射極e2），黑表筆測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右；黑表筆接P,紅表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為最大。各相之間的正反向特性應(yīng)相同，若出現(xiàn)差別說(shuō)明IGBT模塊性能變差，應(yīng)予更換。IGBT模塊損壞時(shí)，只有擊穿短路情況出現(xiàn)。
　　紅、黑兩表筆分別測(cè)柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性， 萬(wàn)用表兩次所測(cè)的數(shù)值都為最大，這時(shí)可判定IGBT模塊門極正常。如果有數(shù)值顯示，則門極性能變差，此模塊應(yīng)更換。當(dāng)正反向測(cè)試結(jié)果為零時(shí)，說(shuō)明所檢測(cè)的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時(shí)電路板保護(hù)門極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞。




    很多同行對(duì)IGBT的測(cè)量和判斷僅局限于徹底擊穿，而對(duì)一些軟擊穿和性能下降的IGBT卻不知如何判斷，現(xiàn)就把本人多年來(lái)判斷IGBT的小經(jīng)驗(yàn)給大家說(shuō)說(shuō)，高手可以飄過(guò)：
    首先把指針萬(wàn)用表調(diào)到R×10K檔，檢測(cè)過(guò)程可分4步進(jìn)行：
    1：黑表筆接G極；紅表筆接E極，此時(shí)的阻值應(yīng)為無(wú)窮大。
    2：黑表筆接C極；紅表筆接E極，此時(shí)的阻值應(yīng)為 0Ω 。
    3：保持第二步不動(dòng)，用鑷子等金屬物短接G極和E極引腳，阻值應(yīng)該由 0Ω 跳變?yōu)闊o(wú)窮大。
    4：在第三步的基礎(chǔ)上，移走鑷子，阻值應(yīng)保持無(wú)窮大不變。
   
    以上測(cè)量方法同時(shí)適用于普通N溝道型場(chǎng)效應(yīng)管的判斷，P溝道的只需對(duì)調(diào)表筆即可，經(jīng)驗(yàn)由本人原創(chuàng)！